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320-1100nm Si硅光電探測(cè)器模塊 直徑1.2mm C3A系列光電檢測(cè)模塊將光電二極管，放大電路和電源調(diào)理電路集成在一個(gè)小型化的模塊內(nèi)。不僅適用于各種實(shí)驗(yàn)室光學(xué)系統(tǒng)的搭建，也適用于在用戶產(chǎn)品中進(jìn)行集成。模塊安裝方便，并可實(shí)現(xiàn)光路的密封。模塊可使用寬范圍正負(fù)電源進(jìn)行工作，模塊內(nèi)部含有線性整流電路以降低輸入噪聲并提高信噪比。

D2250 單波長(zhǎng)探測(cè)器（Si硅光電） 中紅外探測(cè)器面臨的最大挑戰(zhàn)通常是固有噪聲較大，并且它們會(huì)收集來自周圍環(huán)境的大量輻射。我們的探測(cè)器通過使用窄高效上轉(zhuǎn)換技術(shù)與低噪聲的基于硅的探測(cè)器，緩解了這兩種限制。 除了的靈敏度、速度和低噪聲特性外，所有探測(cè)器的輸出都經(jīng)過預(yù)放大，以便將電壓信號(hào)提升到標(biāo)準(zhǔn)示波器易于測(cè)量 水平。

350-1100nm硅基放大光電探測(cè)器，感光尺寸3.6×3.6mm，帶寬范圍DC～6.7MHz 產(chǎn)品描述： 筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋350nm~1100nm，程控式8檔可調(diào)增益，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景，性能優(yōu)秀，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于可見光和近紅外光測(cè)量。

400-1100nm高速型硅基偏壓光電探測(cè)器，上升時(shí)間1ns 產(chǎn)品描述： 筱曉光子的高速型硅基偏壓光電探測(cè)器感光范圍覆蓋400nm~1100nm，噪聲極低，響應(yīng)快，無增益，成本低，適用于常規(guī)光電探測(cè)應(yīng)用，性能優(yōu)秀，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于可見光與紅外光測(cè)量。

400-1100nm高速型硅基偏壓光電探測(cè)器，感光尺寸Φ250um 產(chǎn)品描述： 筱曉光子的高速型硅基偏壓光電探測(cè)器感光范圍覆蓋400nm~1100nm，噪聲極低，響應(yīng)快，無增益，成本低，適用于常規(guī)光電探測(cè)應(yīng)用，性能優(yōu)秀，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于可見光與紅外光測(cè)量。