795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±
品牌 | 筱曉光子 | 價格區間 | 面議 |
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組成要素 | 半導體激光器產品及設備 | 產地類別 | 進口 |
應用領域 | 電子/電池,電氣,綜合 |
795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±10°C)
垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20
包裝: 裸片
芯片工藝: GaAs 垂直腔面發射激光器
激光波長: 795nm
輻射剖面: 單模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
原子鐘
磁力計
795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±10°C)
公司簡介
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